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原创:开关电源中功率MOSFET损坏模式及分析
阅读: 24470 |  回复: 154 楼层直达

2013/03/20 11:42:33
1
adlsong
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LV5
营长

 大咖亲测百世之师、不忘初心——泰克MSO58波器首发

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来了,就发原创创,希望对大家有用。

开关电源中功率MOSFET损坏模式及分析

 

2013/03/20 11:44:10
2
adlsong
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LV5
营长

结合功率MOSFET管失效分析图片不同的形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中,发生失效形态的差别,从而为失效是在关断还是在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。

2013/03/20 12:48:09
3
sometimes[荣誉版主]
电源币:353 | 积分:26 主题帖:123 | 回复帖:1322
LV9
军长
可以打开
2013/03/20 15:19:58
4
deep_thought
电源币:1 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:362
LV7
旅长

Thank a lot!

2013/03/21 08:33:03
16
adlsong
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LV5
营长

同时,也分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通及在电池保护电路应用中慢速关断时,较长时间工作在线性区时,损坏的形态。最后,结合实际的应用,论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。

2013/03/21 08:13:38
5
adlsong
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LV5
营长

目前,功率MOSFET管广泛地应用于开关电源系统及其它的一些功率电子电路中,然而,在实际的应用中,通常,在一些极端的边界条件下,如系统的输出短路及过载测试,输入过电压测试以及动态的老化测试中,功率MOSFET有时候会发生失效损坏。工程师将损坏的功率MOSFET送到半导体原厂做失效分析后,得到的失效分析报告的结论通常是过电性应力EOS,无法判断是什么原因导致MOSFET的损坏。

本文将通过功率MOSFET管的工作特性,结合失效分析图片中不同的损坏形态,系统的分析过电流损坏和过电压损坏,同时,根据损坏位置不同,分析功率MOSFET管的失效是发生在开通的过程中,还是发生在关断的过程中,从而为设计工程师提供一些依据,来找到系统设计的一些问题,提高电子系统的可靠性。

2013/03/30 05:44:24
28
aczg01987
电源币:184 | 积分:0 主题帖:137 | 回复帖:1593
LV10
司令

不错的资料,学习啦

2013/03/21 08:14:05
6
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长

1 过电压和过电流测试电路

过电压测试的电路图如图1(a)所示,选用40V的功率MOSFETAON6240DFN5*6的封装。其中,所加的电源为60V,使用开关来控制,将60V的电压直接加到AON6240DS极,熔丝用来保护测试系统,功率MOSFET损坏后,将电源断开。测试样品数量:5片。

过电流测试的电路图如图2(b)所示,选用40V的功率MOSFETAON6240DFN5*6的封装。首先合上开关A,用20V的电源给大电容充电,电容C的容值:15mF,然后断开开关A,合上开关B,将电容C的电压加到功率MOSFETDS极,使用信号发生器产生一个电压幅值为4V、持续时间为1秒的单脉冲,加到功率MOSFETG极。测试样品数量:5片。

2013/03/21 08:16:44
7
adlsong
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LV5
营长
 
2013/04/10 19:40:49
78
lj53
电源币:22 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:198
LV5
营长
做个标记  等下再看
2013/03/21 08:17:22
8
adlsong
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LV5
营长

2   过电压和过电流失效损坏

将过电压和过电流测试损坏的功率MOSFET去除外面的塑料外壳,对露出的硅片正面失效损坏的形态的图片,分别如图2(a)和图2(b)所示。

从图2(a)可以看到:过电压的失效形态是在硅片中间的某一个位置产生一个击穿小孔洞,通常称为热点,其产生的原因就是因为过压而产生雪崩击穿,在过压时,通常导致功率MOSFET内部寄生三极管的导通,由于三极管具有负温度系数特性,当局部流过三极管的电流越大时,温度越高,而温度越高,流过此局部区域的电流就越大,从而导致功率MOSFET内部形成局部的热点而损坏。

硅片中间区域是散热条件最差的位置,也是最容易产生热点的地方,可以看到,上图中,击穿小孔洞即热点,正好都位于硅片的中间区域。

在过流损坏的条件下,图2(b )的可以看到:所有的损坏位置都是发生的S极,而且比较靠近G极,因为电容的能量放电形成大电流,全部流过功率MOSFET,所有的电流全部要汇集中S极,这样,S极附近产生电流 集中,因此温度最高,也最容易产生损坏。

注意到,在功率MOSFET内部,是由许多单元并联形成的,如图3(a)所示,其等效的电路图如图3(b )所示,在开通过程中,离G极近地区域,VGS的电压越高,因此区域的单元流过电流越大,因此在瞬态开通过程承担更大的电流,这样,离G极近的S极区域,温度更高,更容易因过流产生损坏。

2013/03/21 08:22:06
9
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长
 
2013/03/21 08:23:53
11
adlsong
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LV5
营长
 
2013/03/29 21:59:38
27
fox-l
电源币:24 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:14
LV2
班长
确实很明了。最近炸好几次管子了,就是不知道咋坏的
2013/03/25 16:53:06
19
绿叶
电源币:0 | 积分:0 主题帖:12 | 回复帖:39
LV4
连长
大侠可否把电流损坏的点用红色表示出来,这样比较醒目。不然像我这么眼力不好而且又笨的人很难看出来。多谢!分析的很好。
2013/04/01 16:27:10
47
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长
图中加红圈圈的地方,就是损坏的BURN MARK 
2013/10/18 12:22:18
88
yfydianyuan
电源币:5534 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:53
LV4
连长
要有工具才能这样看哦
2013/10/18 20:28:35
89
js617
电源币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:4
LV1
士兵

楼主,请教个问题,GS之间短路是怎么回事?

2014/08/23 00:11:06
101
yjnaefwmq
电源币:4 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:13
LV3
排长
2013/03/30 12:25:44
31
小矿石
电源币:1046 | 积分:0 主题帖:66 | 回复帖:1073
LV10
司令
2013/04/01 09:22:51
43
pnth2009
电源币:121 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:2
LV1
士兵
“由于三极管具有负温度系数特性,当局部流过三极管的电流越大时”对此句不了解,是负温度系数特性吗?
2013/04/01 16:23:37
46
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长

见以前本人发的一个贴子,有比较详细的说明: http://bbs.dianyuan.com/topic/558559

原创:理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性:正温度系数?不,有正和负温度系数双重特性

2015/10/29 19:50:02
118
我是CC
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:2
LV1
士兵
感觉您分析的很深入,能讲讲如何判断MOS管的损坏是由于雪崩击穿吗,单从损坏后的MOS管能判断出来吗,如果加的电压没有达到允许的Vds是不是就不会出现雪崩击穿现象呢,最近经常烧管子,求高手指导,谢谢了。
2013/03/21 08:23:08
10
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长

3 过电压和过电流混合失效损坏

在实际应用中,单一的过电流和过电流的损坏通常很少发生,更多的损坏是发生过流后,由于系统的过流保护电路工作,将功率MOSFET关断,这样,在关断的过程中,发生过压即雪崩。从图4可以看到功率MOSFET先过流,然后进入雪崩发生过压的损坏形态。

可以看到,和上面过流损坏形式类似,它们也发生在靠近S极的地方,同时,也有因为过压产生的击穿的洞坑,而损坏的位置远离S极,和上面的分析类似,在关断的过程,距离G极越远的位置,在瞬态关断过程中,VGS的电压越高,承担电流也越大,因此更容易发生损坏。

2013/03/21 08:24:11
12
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长
 
2013/04/14 12:03:05
79
jxlijin
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:5
LV1
士兵
好贴啊~~ 楼主 图4中过压击穿的洞坑在哪?能否标示出来?
2014/06/17 10:21:08
95
美好的一天
电源币:92 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:7
LV1
士兵
好贴  菜鸟学习中  顶一个
2013/03/26 22:07:32
24
心中有冰[荣誉版主]
电源币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

请教楼主:

过压与过流损坏的顺序问题,是否存在先进入雪崩区,然后雪崩击穿MOSFET,从而引起过流损坏的现象?

如果有,其损坏的具体机理跟先过流后过压的损坏机理有何不同?有没有相关的资料图片共享

谢谢

2013/03/30 05:56:22
30
aczg01987
电源币:184 | 积分:0 主题帖:137 | 回复帖:1593
LV10
司令
过压损坏多半会开路,貌似存在再过流损坏的可能性教小
2013/03/31 08:00:05
37
心中有冰[荣誉版主]
电源币:5321 | 积分:13 主题帖:92 | 回复帖:2113
LV11
统帅

呵呵,兄弟,其实不管是over voltage还是over current 损坏,都有其不同的物理表象

adlsong分析的非常到位,所以想更深层次的了解下

2013/04/01 16:37:19
50
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长
如果过压将GD打成短路,电流再一冲,如果电源保护不好的话,就看到急剧的过流现象,
2013/04/01 16:33:35
48
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长
其实不管过流还是过压,核心的思想仍然是温度,而且大多实际的应用都是局部的过热,因此是否损坏机理在于:1是否产生过热。2过热是否可以及时的散出去。通常大电流关断时,由于回路的电感存在,电流越大,器件越可能就会进入雪崩.
2013/03/21 08:25:03
13
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长

4 线性区大电流失效损坏

在电池充放电保护电路板上,通常,负载发生短线或过流电,保护电路将关断功率MOSFET,以免电池产生过放电。但是,和通常短路或过流保护快速关断方式不同,功率MOSFET以非常慢的速度关断,如下图5所示,功率MOSFETG极通过一个1M的电阻,缓慢关断。从VGS波形上看到,米勒平台的时间高达5ms。米勒平台期间,功率MOSFET工作在放大状态,即线性区。

功率MOSFET工作开始工作的电流为10A,使用器件为AO4488,失效的形态如图5(c)所示。当功率MOSFET工作在线性区时,它是负温度系数,局部单元区域发生过流时,同样会产生局部热点,温度越高,电流越大,导致温度更一步增加,然后过热损坏。可以看出,其损坏的热点的面积较大,是因为此区域过一定时间的热量的积累。另外,破位的位置离G极较远,损坏同样发生的关断的过程,破位的位置在中间区域,同样,也是散热条件最差的区域.

另外,在功率MOSFET内部,局部性能弱的单元,封装的形式和工艺,都会对破位的位置产生影响

另外,一些电子系统在起动的过程中,芯片的VCC电源,也是功率MOSFET管的驱动电源建立比较慢,如在照明中,使用PFC的电感绕组给PWM控制芯片供电,这样,在起动的过程中,功率MOSFET由于驱动电压不足,容易进入线性区工作。在进行动态老化测试的时候,功率MOSFET不断的进入线性区工作,工作一段时间后,就会形成局部热点而损坏。

使用AOT5N50作测试,G极加5V的驱动电压,做开关机的重复测试,电流ID=3,工作频率8Hz重复450次后,器件损坏,波形和失效图片如图6(b)(c)所示。可以看到,器件形成局部热点,而且离G极比较近,因此,器件是在开通过程中,由于长时间工作线性区产生的损坏。

6(a)是器件 AOT5N50在一个实际应用中,在动态老化测试过程生产失效的图片,而且测试实际的电路,起动过程中,MOSFET实际驱动电压5VMOSFET工作在线性区,失效形态和图6(b)相同。

 

 

2013/03/21 08:25:22
14
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长
 
2013/03/21 08:25:42
15
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长
 
2013/03/25 09:47:59
17
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长
有人看,没有人回?hehe
2013/03/25 12:57:53
18
电子幽灵520
电源币:20 | 积分:5 主题帖:4 | 回复帖:69
LV4
连长

学习了,谢谢

2013/03/26 12:24:46
21
heyong163b
电源币:7 | 积分:0 主题帖:15 | 回复帖:117
LV5
营长
这绝对是最权威的失效分析,这个问题也是开关电源失效的最多原因,LZ能否再谈下怎样控制这类问题呢?
2013/04/01 17:01:50
51
namin
电源币:147 | 积分:0 主题帖:108 | 回复帖:247
LV7
旅长
因为对这些问题现在只能学习,所以多数人就没回答,呵呵。
2013/10/11 14:41:07
81
micro-wu
电源币:2 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:22
LV3
排长

Perfect!

其实所有的分立器件在做失效分析时都可以采取类似的方式。

2013/03/26 12:42:45
23
higel
电源币:716 | 积分:3 主题帖:24 | 回复帖:449
LV8
师长

好东西~! 

楼主继续啊...

2013/03/29 10:48:57
26
qinzutaim[版主]
电源币:2126 | 积分:144 主题帖:38 | 回复帖:3619
LV11
统帅
路过,看到好帖子当然得留下点什么
2013/04/03 08:34:23
60
hwj5555
电源币:0 | 积分:0 主题帖:5 | 回复帖:46
LV4
连长
谢楼主的分析,可是不知用什么可以拆开和你一样完整的芯片。我都是爆力拆开,早就一片稀烂。
2013/04/03 17:27:05
64
yuleyingshi
电源币:4 | 积分:0 主题帖:25 | 回复帖:81
LV5
营长

好家伙,有图有真相

2013/04/07 13:51:01
75
shj91111
电源币:2 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:6
LV2
班长
高水平的帖子,必须回复,鼓励
2013/10/11 16:49:31
86
nyh20028319
电源币:0 | 积分:0 主题帖:17 | 回复帖:98
LV5
营长

1.也没有说明哪个管子的失效波形

2.存在一个死区时间的问题

2014/06/26 17:07:26
96
nyh20028319
电源币:0 | 积分:0 主题帖:17 | 回复帖:98
LV5
营长

测试电路是不是图5所示的(a)图呀

2013/03/31 21:22:24
41
andny2012
电源币:204 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:21
LV3
排长

不管过流还是过压都是二次击穿损坏

2013/04/03 17:14:55
63
ydludong
电源币:20 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
你好,楼主,我真在做一个H桥电路,在调试的工程中经常会出现坏管子的情况,DS短路,器件的电压电流的余量留的很大,驱动电路测试也问题不大。能帮忙分析有什么可能导致少管子吗?
2017/05/31 10:08:10
147
iceiceice
电源币:0 | 积分:3 主题帖:8 | 回复帖:12
LV3
排长
楼主,我现在电池包做短路测试很难通过。关断快Vds超,MOS管进入雪崩。关断慢,MOS管热击穿。有什么好方法吗?

图一:关断快

关断慢

2018/01/04 22:52:07
152
zyjlovewlj
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
你好,请问你的问题解决了么?
2013/03/26 11:45:12
20
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长
more people read but no one give the comment
2013/03/26 12:26:31
22
heyong163b
电源币:7 | 积分:0 主题帖:15 | 回复帖:117
LV5
营长
不是没人提意见,主要是超出了电子学范围,属材料学科的基础分析。看得出楼主已进入本例分析到很深的领域,而且电子基础也很高,不继续真的太可惜了。
2013/03/30 05:50:33
29
aczg01987
电源币:184 | 积分:0 主题帖:137 | 回复帖:1593
LV10
司令
期待后面的内容
2013/10/18 11:54:48
87
龙腾郭工
电源币:6 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:22
LV3
排长

非常好的文章,对失效问题的准确分析,进而避免再次发生,楼主功力很深。

2014/07/31 00:01:39
100
yjnaefwmq
电源币:4 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:13
LV3
排长

我有做240W的电源坏了很多MOS 管,没有击穿和其它明显变化的阻值,而峰值电压是460V,用的是20N60.

帮忙分析下

2013/03/27 11:17:23
25
澳门巴黎人注册-源源
电源币:6964 | 积分:60 主题帖:331 | 回复帖:1332
LV10
司令
哇哈哈哈哈 来围观好贴~~
2013/03/30 12:57:23
33
guang卢
电源币:4950 | 积分:10 主题帖:4 | 回复帖:371
LV7
旅长
看来只有我这个工兵报到了!烧管子是我最常见的!来学习
2013/04/02 13:23:21
57
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长

只围观,不发言,呵呵,不象你的风格

2013/03/30 12:52:36
32
75482758
电源币:43 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:392
LV6
团长
学习了,谢谢分享
2013/03/30 15:14:28
34
gez505641797
电源币:2 | 积分:0 主题帖:8 | 回复帖:20
LV3
排长
谢谢分享经验。
2013/03/30 15:59:25
35
344020199
电源币:191 | 积分:0 主题帖:13 | 回复帖:94
LV6
团长

good
plase

2013/03/30 20:37:18
36
zhyzh1990
电源币:20 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:4
LV1
士兵

这分析确实很到位,这都属于固体物理的内容了,一般的电子工程师还真很难分析到这一层面

2013/03/31 08:13:06
38
Ann-cz
电源币:48 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:129
LV4
连长

2013/10/11 16:40:38
84
nyh20028319
电源币:0 | 积分:0 主题帖:17 | 回复帖:98
LV5
营长

固体物理学跟材料有极大的关系

mosfet失效,归结起来有,瞬间功率过高,温度升高,导致管子失效

2013/03/31 12:30:16
39
hongwei640
电源币:2 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:15
LV2
班长
非常好,长见识了
2013/03/31 15:18:48
40
daibiwu
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:17
LV2
班长
其实一直在找这方面的资料,只不过像这种资料一般都是大公司很内部的资料了,很少有发出来的,今天在这里看到很惊喜,希望楼主继续,也好像楼主都学习学习!
2013/04/01 16:35:18
49
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长
许多公司内部也没有这样的资料,许多人没去研究它,也不想研究它,至于原因,大家都知道的。
2013/04/03 13:09:44
62
duanwn
电源币:302 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:38
LV3
排长
那可不一定,一般大厂生产时发现MOS管坏了都要求返回原厂分析并给出8D报告的,他们不研究怎么能得出结论啊。
2013/04/03 22:41:22
65
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长
呵呵,8d报告你觉得有用吗?那个报告是给QA部门看的,研发看的是FA报告,我不知道你看过一些公司FA报告了,你是不是觉得不同公司FA报告基本差不多?你看了觉得他们分析对你有价值吗?如果不看本贴上面内容?
2013/04/07 12:55:03
74
duanwn
电源币:302 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:38
LV3
排长
以前看过一些报告,有些写的还可以,和上面有些像,有些就是应付人的,说什么过功率算坏,呵呵、、、说了和没说一样。
2013/10/11 16:43:44
85
nyh20028319
电源币:0 | 积分:0 主题帖:17 | 回复帖:98
LV5
营长

最近电源失效比较多,老板天天催着解决问题,但是供应商的8D报告好假,每次说的有一样。

没有什么参考价值

2013/04/01 07:23:36
42
75482758
电源币:43 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:392
LV6
团长
学习了
2013/04/01 11:06:42
44
冰上鸭子
电源币:195 | 积分:0 主题帖:49 | 回复帖:1162
LV10
司令
学习了,留个记号
2013/04/01 14:52:02
45
49547754
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:30
LV3
排长
呵呵呵呵
2013/04/01 17:46:11
52
qi8903
电源币:13 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:193
LV6
团长
2013/04/01 22:16:18
54
y412745757
电源币:0 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:9
LV2
班长
楼主,能说说mos管子过压和过流之后,G,D,S极的导通情况么?在实际中,我遇到了有的是SD导通,有的是全通,这是什么损坏情况啊?还有就是管子炸的与塑封分离了
2013/04/02 09:06:42
55
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长

损坏的模式以及GDS是开路还是短路,和工作的条件以及封装的类型有相当大的关系,实际上短路的情况比较多,而开路的情况大多情况下是内部封装的打线在大电流冲击下烧断路。

从我个人经验看,管子炸的与塑封分离,则过压,而且通常是过压得非常多的可能性比较大。

2014/07/13 15:34:48
97
dabing2007cs
电源币:5 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:6
LV1
士兵
我是做电池保护板的,我碰到的管子炸裂都是线性区过电流。管子能炸开说明内部短时间集聚大量能量~
2018/03/27 21:31:20
154
niuzhensongzhensong
电源币:2 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:187
LV5
营长
ok
2013/04/01 19:24:13
53
wt.liu
电源币:1755 | 积分:0 主题帖:19 | 回复帖:144
LV5
营长
这个很好,向adlsong学习。
2013/04/02 12:35:21
56
foggy_fox
电源币:50 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:7
LV3
排长
这个帖子真不错,支持楼主继续~
2013/04/02 14:37:38
58
49547754
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:30
LV3
排长
不错,学习了
2013/04/02 15:11:12
59
sinc_mark
电源币:0 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:1
LV1
士兵

楼主很专业,但你所说的细微现象,对于一般的人来说(类似我之类的),很难把握得到!

2013/04/03 12:02:56
61
duanwn
电源币:302 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:38
LV3
排长
,讲的非常好!
2013/04/05 10:47:05
66
hfstray
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:31
LV3
排长
受益匪浅
2013/04/05 21:49:24
71
hqyzh
电源币:0 | 积分:0 主题帖:13 | 回复帖:234
LV6
团长
受益匪浅
2013/04/05 12:00:30
67
472130019
电源币:79 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:21
LV2
班长
非常好,顶一个!
2013/04/05 12:12:29
68
zhangbing
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:4
LV1
士兵

理论结合实际

2013/11/15 10:31:55
93
hongyuying
电源币:22 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:55
LV4
连长
好帖,学习了
2013/04/05 13:16:10
69
gaohq
电源币:55 | 积分:5 主题帖:48 | 回复帖:425
LV8
师长
楼主顺便告诉我们自己怎么把坏管拆开吧,送到原厂去分析太拖时间了。
2013/04/05 21:14:59
70
hygneu
电源币:20 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:4
LV1
士兵
我也想知道用什么工具拆开合观察的,肉眼能看清那些小孔吗? 最近炸管厉害啊 都怕了!
2013/04/06 23:10:54
73
zhangbing
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:4
LV1
士兵

用酸去腐蚀塑封料,完成后就可以在显微镜下看到,腐蚀要有经验一定注意安全

2013/04/10 13:48:51
77
adlsong
电源币:0 | 积分:0 主题帖:38 | 回复帖:36
LV5
营长
氰氟酸,要注意安全,通风等
2013/04/16 09:54:18
80
Haleliu
电源币:74 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:114
LV4
连长

楼主辛苦了,支持下!

2013/10/11 14:51:22
82
micro-wu
电源币:2 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:22
LV3
排长

深圳有很多这种做半导体产品分析的公司,decap的价格100元/颗左右。

自己decap就要注意通风, 还要加热煮。

2013/04/06 16:24:12
72
jsbhhqy
电源币:0 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:162
LV5
营长
一直看到最后,确实很精辟!学习了
2013/04/08 09:16:11
76
yanglingang
电源币:640 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:19
LV3
排长

learn to learn

2013/10/11 16:24:04
83
nyh20028319
电源币:0 | 积分:0 主题帖:17 | 回复帖:98
LV5
营长

果真是好帖

一直都在寻找这种帖子

2013/11/01 17:48:44
90
001pp
电源币:93 | 积分:0 主题帖:20 | 回复帖:72
LV5
营长

好贴,马克下

2013/11/14 23:37:29
92
cometo
电源币:4 | 积分:5 主题帖:34 | 回复帖:142
LV5
营长
留个 印,
2013/11/14 23:35:14
91
吴煌麒
电源币:143 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:27
LV3
排长

好贴,学习……

2013/11/23 10:35:49
94
超越幻想
电源币:22 | 积分:0 主题帖:15 | 回复帖:15
LV3
排长

好贴值得学习啊。各位大侠们请帮忙分析一下这个图片是什原因导致损坏的,谢谢了。

2014/09/30 17:56:52
102
limingqing0101[实习版主]
电源币:31 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:32
LV4
连长
超越幻想:请教你用什么方法将盖子去掉的?谢谢
2014/09/30 19:51:13
104
小矿石
电源币:1046 | 积分:0 主题帖:66 | 回复帖:1073
LV10
司令
应该是专用的开封仪器开的,一般的很难开的这么好看
2014/10/08 14:46:32
105
超越幻想
电源币:22 | 积分:0 主题帖:15 | 回复帖:15
LV3
排长

这个是在南山区宜特公司开盖的。

2014/09/30 19:50:35
103
小矿石
电源币:1046 | 积分:0 主题帖:66 | 回复帖:1073
LV10
司令
看着像过流损坏,绑定线脱落了
2014/10/13 00:08:34
107
湖之一二
电源币:31 | 积分:1 主题帖:24 | 回复帖:380
LV8
师长
关于MOS的失效,很受益。
2014/07/15 22:05:12
98
工程-随风
电源币:109 | 积分:0 主题帖:22 | 回复帖:129
LV6
团长

楼主好帖,受益非浅呀。支持继续讲解

2014/07/16 10:06:02
99
古月吟风
电源币:0 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:7
LV1
士兵

好贴,学习……

2014/10/09 22:18:56
106
niuzhensongzhensong
电源币:2 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:187
LV5
营长

学习中!

2015/01/15 10:32:01
108
liaoxiaojun
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:5
LV1
士兵
请教楼主,我一个功率PMOS的G极接驱动器,如图,R1为NW电阻串POLY电阻,R2为POLY电阻,POLY电阻是负温的,NW电阻是正温的,就是只有在功率管关断时做了温度系数补偿,这样做减慢了功率管在高温下的关断速度,请问这是基于什么考虑呢?求教!

2015/01/15 21:00:59
109
强辉兄1
电源币:2 | 积分:4 主题帖:5 | 回复帖:43
LV4
连长
学习了!
2015/03/09 14:15:10
110
风云电
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:73
LV4
连长
楼主,MOS管中Qrr在BUCK-BOOST中有很大的副作用么?会不会制造炸MOS管的现象.
2015/03/09 14:19:58
111
风云电
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:73
LV4
连长
楼主,MOS管中Qrr在BUCK-BOOST中有很大的副作用么?会不会制造炸MOS管的现象. 现我选用的MOS管2N65型号    其Qrr比士兰等牌MOS管的Qrr大15万倍,且会出现不规律的炸机,不是是不是这Qrr造成的。
2015/03/10 12:11:22
112
zhangyiping
电源币:114 | 积分:56 主题帖:3 | 回复帖:415
LV9
军长
    我干电源有二十年了,有了非常多的经验和实际体会,光光从理论上理解有一些是似而非,模棱两可,爆管大家最会首先怀疑过压,然后才是过流,比如220伏400伏的耐压的管就足够了,比如电子镇流器就是一概400伏的耐压,然而,好多还有了600伏甚至800伏的管都有,毫无关系,有反向的二极管钳位,硬开关峰值电压高一些不过更高几十伏罢了,实际上一是米勒效应共态导通,比如硬开关漏电感要小,爆掉加大RC吸收就可以了,在于降低电压上升录,二是电流,低电压下也安全,坏掉首先是电路不稳定不均匀,也是产生共态导通引起的。一切在于电路,技术的可靠性问题,都他妈的模仿抄袭,不三不四,存在问题,才坏的多了,归根结底就是电路性能和可靠的问题了,说根底就是米勒效应破坏你的,什么峰呀峰流,其实大多数都没有关系的。望大家好好思考一下。技术学问才是大电里,没有做好罢了。电路的稳定性非常重要。
2015/03/13 11:57:52
113
风云电
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:73
LV4
连长
这个问题,没有找到相应的理论,所以下手解决这个问题不容易。不知MOS管的Qrr太大了,是不是耗损更多,是不是需要更强的驱动。
2015/03/13 15:18:59
114
zhangyiping
电源币:114 | 积分:56 主题帖:3 | 回复帖:415
LV9
军长

回复上一贴,如果更快的驱动,还容易坏掉的,因为快了的反馈的电容产生的电流还要更大,而且更快的电压上升录产生米勒电容效应,所以还反而不安全,如果慢了一些,中国作用更小,我从事电源行业二十年了,有经验的,其实,大家总会怀疑什么峰值的电源电流导致,都不是这样的,万恶的就是米勒电容效应导致的,电压上升录太高了,都是产生共态导通损坏的,首先,电路的稳定性非常重要,而且还不能更强的驱动,反而慢了一些还更好的,还比较不容易产生,也在于电压的上升录降低了,在硬开关的电路之中,尽可能降低漏电感,而且加大RC吸收,但在于的效率会降低,不过,对安全可靠比较好了,通常变压器的绕法输出高电压的漏电感比较小,如果低电压的漏电感就比较大了,所以一层初一层次,都一一并起来的漏电感非常小了,这样会更可靠的,但匝间的电容会比较大,产生EMI,在谐振电源里漏电感当成了谐振电感的一部分,所以大的漏电感根本不是问题了,移相电源的漏电感也不必很小,但硬开关就一定要小的漏电感,因为,漏电感会产生峰值的电压和电路,容易损坏开关管的。

2015/03/17 08:55:12
115
风云电
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:73
LV4
连长

但在BUCK-BOOST中不存在漏感的问题,所以也不好判定其炸机的原因。

2015/03/17 13:30:38
116
zhangyiping
电源币:114 | 积分:56 主题帖:3 | 回复帖:415
LV9
军长
回复上一位,道理一样,同一回事,升压电感叫不叫,炸机也是米勒效应,如果电压变化录非常大,就产生了,技术首先电路不大稳定,或者环流没有调好,又不如加一点RC吸收器会好很多,因为大电流高电压之下,峰值的功率非常高,内部的温度太高了,发生了二次击穿,所以坏了。故电路的稳定性非常重要,而且电压的变化率不可太高,否则会产生米勒电容效应的,就要损坏了。
2015/10/29 19:25:01
117
我是CC
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:2
LV1
士兵
兄弟能简单解释一下米勒电容如何影响吗,看来资料感觉没看懂,最近老烧管子,真心求助,谢谢了。
2015/10/30 09:29:27
119
yyyl
电源币:35 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:36
LV4
连长
楼主做了深入细致的研究、分析;确实不错。
2016/02/03 21:50:07
120
zhuzhaoefng
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:2
LV1
士兵
有没有?
2016/02/04 10:19:24
121
apple3417
电源币:29 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:59
LV4
连长
好像看不到内容啊
2016/02/04 10:57:01
122
be115
电源币:0 | 积分:0 主题帖:5 | 回复帖:6
LV2
班长
謝謝
2016/02/04 14:05:04
123
changseng
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:5
LV1
士兵
什么情况
2016/02/04 14:07:50
124
lichenfa
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:4
LV1
士兵
平面MOS coolMOS有什么异同点?
2016/02/16 14:00:59
135
唐杰克1973
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
是指的芯片结构不同,平面MOS指的是平常的芯片工艺,COOLMOS一般是高压MOS上采用这种结构,使得导通电阻更加小
2016/02/06 17:45:35
125
tottacai
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:8
LV1
士兵
学习了
2016/02/10 19:10:02
126
shtjsd
电源币:0 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:79
LV4
连长
进来看看,向楼主学习
2016/02/11 10:07:24
127
幻灭
电源币:26 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:1
LV1
士兵
后可查看该帖
2016/02/11 17:26:45
128
专业威威
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:21
LV3
排长
2016/02/11 18:19:46
129
chenricheng
电源币:1 | 积分:0 主题帖:68 | 回复帖:289
LV7
旅长
来看看
2016/02/11 23:24:42
130
ade1986
电源币:21 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:14
LV3
排长
学习
2016/02/12 03:14:00
131
qiyonglin
电源币:30 | 积分:3 主题帖:10 | 回复帖:68
LV6
团长
11
2016/02/14 21:15:35
132
李强B
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:9
LV1
士兵
冷眼旁观
2016/02/15 10:34:32
133
fzy0611
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:2
LV1
士兵
多谢分享
2016/02/16 11:29:31
134
唐杰克1973
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵

好,学习了

2016/02/16 16:25:50
136
lxhtyy
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:7
LV1
士兵
多谢楼主分享,这个太精髓了
2016/02/17 09:15:24
137
yuhong939
电源币:0 | 积分:3 主题帖:1 | 回复帖:3
LV1
士兵
很需要,看看,谢谢
2016/02/17 11:53:05
138
xly0121
电源币:20 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:7
LV1
士兵
什么内容要回复才能看?
2016/02/19 09:41:18
139
wxm20085007
电源币:50 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:3
LV1
士兵
刚好碰到一个MOSFET管失效的情况,希望能从这获得启发!
2016/02/19 10:14:38
140
book1bug
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
后可查看该帖
2016/02/22 15:54:32
141
hddy
电源币:2 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:4
LV1
士兵
学习一下
2016/02/23 20:27:58
142
openword
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
学习
2016/02/23 21:49:28
143
mengshi4376
电源币:81 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:132
LV5
营长
看一下
2016/02/23 22:38:38
144
雄斐
电源币:20 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:4
LV1
士兵
好哦
2016/02/23 23:09:10
145
电源变频
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:7
LV2
班长
来学习
2016/02/24 09:05:40
146
天盗行
电源币:258 | 积分:0 主题帖:5 | 回复帖:7
LV2
班长
学习一下
2017/09/05 16:38:21
148
上海柏盛仪表有限公司
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:5
LV1
士兵

看来之后学习了不少,谢谢分享

2017/09/15 21:28:32
149
广东仔
电源币:0 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:81
LV4
连长
正在研究这些,不错
2017/12/19 16:11:28
150
xqd123
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
学习学习
2017/12/19 16:38:05
151
xqd123
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
学习学习
2018/03/27 11:45:42
153
tompo
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
感謝分享 !
2018/03/28 20:40:44
155
紫色的童年
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:4
LV1
士兵
学习了。
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